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利用场发射显微镜研究单壁碳纳米管的场发射特性
张兆祥;施祖进 单　　位： 北京大学电子学系，北京100871;北京大学化学与分子工程学院，北京100871  真空科学与技术.2001,021(006).-431-433,444  
关键词 场发射显微镜;单壁碳纳米管;精细结构;场发射特性;场发射像;纳米材料摘　　要利用场发射显微镜研究了单壁碳纳米管（SWCNTs)的场发射特性。由于实验中所用的SWCNTs的长度基本一致，因此能同时观察到多根SWCNTs的场发射像。SWCNTs的场发射像随着热处理温度的升高而变化，直至热处理温度过高而塌缩。在一定的实验条件下，观察到了具有精细结构的单根碳纳米管顶端“帽子”的场发射像。电流－电压（I－U）曲线分析表明，SWCNTs的电流来源于场发射。




















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