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纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性
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| 赵东林;周万城 单 位： 西北工业大学凝固技术国家重点实验室，西安710072 物理学报.2001,050(012).-2471-2476 |
关键词 纳米Si/C/N复相粉体;微波介电常量;微观结构;纳米材料;硅碳氮复相粉体;微波介电特性 摘 要研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2-18GHz的微波介电特性，采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置，以六甲基二硅胺烷（（Me3Si)2NH)(Me:CH3)为原料，用激光诱导气相反应法合成纳米Si/C/N复相粉体，复相粉体的粒径为20－30nm。纳米Si/C/N复相粉体与石蜡复合体的介电常量的实部（ε'）和虚部（ε″）以及介电损耗角正切（tanδ=ε″/ε′）随纳米粉体含量的增加而增大，ε′和ε″与纳米粉体体积分数（v)之间符合二次函数关系（ε′，ε″=Av^2+Bv+C)，纳米Si/C/N复相粉体的ε′和ε″在8.2-18GHz随频率的增大而逐渐减小。纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子，在纳米Si/C/N复相粉体中形成大量的带电缺陷，在电磁场作用下形成极化耦散电流，极化弛豫是损耗电磁波的主要原因，纳米Si/C/N复相粉体的介电损耗较大，而且ε′和ε″可以通过纳米粉体的含量进行调节。
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