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热处理温度对AIP/SiO2纳米复合材料发光的影响

郭芳侠 单  位: 陕西师范大学物理与信息技术学院,陕西西安 710062  陕西师范大学学报:自然科学版.2001,029(003).-50-52  
关键词 热处理温度;AIP/SiO2纳米材料;隧穿复合发光;光致发光;表面态 缺陷复合发光;复合材料摘  要对不同温度热处理的xAlP/100SiO2纳米复合材料的光致发光进行了研究。结果表明,500℃热处理的样品光致发光谱只有位于585nm附近的发光峰,它来源于表面态和缺陷复合发光,600℃热处理的样品有两个发光峰,分别位于585nm和635nm附近。分析认为,635nm的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光;材料热处理温度的提高有助于晶粒的生长,从而使表面态和缺陷发光明显减弱,出现另一由于隧穿复合产生的发光峰。




















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