ST推出256M NAND闪存

  ST近日宣布已大批量生产256M" Small Page" NAND闪存VFBGA55版芯片，采用8x10mmBGA封装形式，适用于便携式设备，如照相手机、智能手机、低成本数码相机、PDA和USB相机存储棒，以及其他空间受限产品。

    这种厚度为1mm的封装形式保持了与其他NAND产品间的疏通兼容性，却可节省约20%板空间。NAND256属于ST公司的NAND系列闪存产品，包括128M、256M、512M和1G设备，工作电压为1.8V或3.0V。

    它提供超快速数据吞吐率和擦除功能，以及手机、PDA和其他便携式设备所需的低功耗编程和低电压操作特性。它采用先进的120nm技术，具有小存储单元尺寸，可保证价格敏感产品获得最低成本。

    存储器集成在2048个16K模块内，每个模块可分为若干个512字节的页，每页又会闲置出16字节，用于页进行读取和编程操作。这些闲置字节通常用于纠错编码（Error Correction Code）、软件标记或损坏块鉴定。缓存编程模块可使存储在一页中的数据被直接编程进另一页，通常用于从故障块内移出数据。块擦除命令的擦除时间为2ms，每块可进行100,000次编程和擦除操作，数据保持期为10年。

    ST公司的软件工具链支持采用NAND闪存系列产品的设备的快速发展，有助于延长其使用寿命。工具包括纠错编码（ECC）软件、损坏块管理（BBM）、用于延长设备寿命的磨耗校正（Wear Leveling）算法、文件系统OS本地参考软件，以及硬件仿真模型。

    设备选项包括："上电后自动读取页0"，适用于从NAND存储器启动的应用；"无需关心芯片类型"，可简化微控制器接口和提高NAND闪存与其他类型存储器（如NOR闪存和SRAM）共同使用的效率；"唯一设备ID"，可进行编程；"用户编程序列号"，支持目标应用中的安全性。

    ST公司现已提供NAND256W3A (3V)和NAND256R3A (1.8V)产品，采用VFBGA55 8x10mm球阵列封装（ZA），每100k定价为6.50美元。